2026年2月，全球芯片行業(yè)聚焦存儲芯片供需失衡、巨頭業(yè)績波動及技術(shù)迭代，同時國產(chǎn)芯片持續(xù)突破，地緣政治影響仍在延續(xù)，行業(yè)呈現(xiàn)“挑戰(zhàn)與機遇并存”的格局。

存儲芯片領(lǐng)域，短缺與漲價成為核心關(guān)鍵詞。2月1日，三星電子率先宣布大幅上調(diào)NAND閃存芯片價格，漲幅高達100%，正式開啟存儲芯片新一輪超級周期，美光、鎧俠等國際存儲巨頭計劃跟進提價。英特爾CEO陳立武更是在思科會議上表示，內(nèi)存芯片短缺問題至少到2028年前不會緩解，目前尚無有效緩解措施，這一判斷較此前市場預(yù)期延后2-3年，凸顯本輪供需失衡的嚴重性。受此影響，全球手機廠商面臨成本壓力，紛紛削減訂單，進一步傳導(dǎo)至芯片巨頭業(yè)績。

芯片巨頭方面，美股財報季傳來利空消息。2月5日，美國芯片巨頭高通在美股盤前交易中股價一度暴跌超12%，截至發(fā)稿跌幅仍達11.18%，核心原因是其發(fā)布的2026財年第二財季業(yè)績指引不及市場預(yù)期，手機芯片收入指引降至60億美元。高通高管解釋，AI數(shù)據(jù)中心對存儲需求的抬升，擠壓了手機廠商的供給與成本空間，多家廠商已減少手機生產(chǎn)計劃并清理渠道庫存，這種影響可能貫穿本財年剩余時間。同日，英國芯片設(shè)計巨頭Arm股價亦一度大跌超8%，盡管其第三財季營收略超預(yù)期，但作為未來設(shè)計采用率關(guān)鍵指標的許可收入不及預(yù)期，引發(fā)市場拋售。此外，功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌于2月5日宣布，自2026年4月1日起上調(diào)功率開關(guān)及相關(guān)芯片價格，應(yīng)對供給緊張與成本攀升壓力。

技術(shù)迭代與產(chǎn)能布局同步推進。2月1日，英偉達在GTC 2026特別活動中發(fā)布新一代HBM3e內(nèi)存芯片，單顆容量達64GB，帶寬提升40%至1.2TB/s，功耗降低25%，適用于AI訓(xùn)練與高性能計算場景，并計劃與臺積電合作擴大產(chǎn)能，預(yù)計2026年Q3批量出貨。英特爾則宣布投資400億美元在美國擴建晶圓廠，聚焦2nm及更先進制程，預(yù)計2028年全面投產(chǎn)，同時與美光合作研發(fā)2nm級內(nèi)存與邏輯芯片集成技術(shù)，提升本土制造能力。此外，英特爾計劃與軟銀旗下子公司Saimemory合作，開發(fā)名為ZAM的下一代內(nèi)存新技術(shù)，單芯片最高容量可達512GB，功耗較當(dāng)前主流HBM內(nèi)存降低40%至50%，有望重塑AI時代內(nèi)存市場格局。臺積電方面，計劃在日本熊本建設(shè)第二座工廠，量產(chǎn)3納米芯片，滿足AI芯片激增的需求，投資額約170億美元，同時宣布2026年繼續(xù)提升7納米以下先進制程報價，漲幅預(yù)計達3%-10%，這是其連續(xù)第四年漲價。

國產(chǎn)芯片領(lǐng)域持續(xù)突破，同時面臨外部約束。1月30日，芯動科技發(fā)布全球首款120通道PCIe Gen5交換芯片GX9120，采用12nm工藝制造，帶寬達3.84TB/s，打破海外壟斷，已獲得多家頭部服務(wù)器廠商訂單。同日，阿里平頭哥真武PPU芯片總出貨量超數(shù)十萬片，領(lǐng)跑國產(chǎn)GPU市場，該芯片性能對標英偉達H20，已服務(wù)400多家頭部客戶。瀾起科技于1月30日開啟港股招股，擬募資加碼HBM內(nèi)存接口芯片與AI芯片業(yè)務(wù)，實現(xiàn)“A+H”上市布局，其DDR5內(nèi)存緩沖器芯片市占率超40%。此外，國科微、中微半導(dǎo)等國產(chǎn)芯片廠商密集漲價，應(yīng)對供應(yīng)缺口與成本壓力，其中國科微合封KGD芯片最高漲幅達80%。但外部約束仍存，1月31日，美國商務(wù)部擴大AI芯片出口管制，將3家中國AI芯片設(shè)計企業(yè)列入實體清單，限制其獲取先進制程與關(guān)鍵技術(shù)，同時英偉達H200芯片對華銷售因美方安全審查陷入停滯，增加行業(yè)不確定性。